TGAN80N65F2DS
Previous product
HFE4001BT
€10.00
Next product
RHS100E
€695.00
€18.00
Close
Price Summary
- €18.00
- €18.00
- €18.00
Sin Stock
Highlights:
CompararTGAN80N65F2DS– IGBT + DIODO 650V 160A TO-3PN
Categorías: ELECTRONICA, SEMICONDUCTORES, TRANSISTORES
Etiqueta: TIEMPO DE ENTREGA 35 A 40 DIAS
Related Products
G4BC10SD
Highlights:
IGBT COPACK DE 600VOLTIOS CC Y 1 KHZ (ESTÁNDAR) EN UN TO-220AB
PMBT2222A SOT-23 (W1P)
Highlights:
TRANSISTOR NPN 600MA 40VOLTIOS SOT-23
2SK2350 (K2350)
Highlights:
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE SILICIO CANAL N MOS 200VOLTIOS IDP 34AMPERIOS 30WATT
C3203Y (3CA)
Highlights:
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR 35VOLTIOS 800MA TO-92
BFG591
Highlights:
TRANSISTOR BANDA ANCHA NPN 150VOLTIOS 200MA 2WATT 7GHZ SOT-223 4PINES
IKW15T120 (K15T120)
Highlights:
TRANSISTOR 1200VOLTIOS 30AMPERIOS 110WATT TO247-3
RFP40N10
Highlights:
MOSFET DE POTENCIA CANAL N 100VOLTIOS 40AMPERIOS 0.040 OHMIO TO-220
BLF246
Highlights:
TRANSISTOR MOS DE POTENCIA VHF 108MHZ 16 DB 28VOLTIOS 13AMPERIOS SOT121B












