TGAN80N65F2DS
Previous product
HFE4001BT
€10.00
Next product
RHS100E
€695.00
€18.00
Close
Price Summary
- €18.00
- €18.00
- €18.00
Sin Stock
Highlights:
CompararTGAN80N65F2DS– IGBT + DIODO 650V 160A TO-3PN
Categorías: ELECTRONICA, SEMICONDUCTORES, TRANSISTORES
Etiqueta: TIEMPO DE ENTREGA 35 A 40 DIAS
Related Products
MP4507
Highlights:
TRANSISTOR DE POTENCIA DARLINTON 4 EN 1 IC/DC=±5AMPERIOS(MAX) VCE=±3VOLTIOS, IC=±3 SIP 12
RFP40N10
Highlights:
MOSFET DE POTENCIA CANAL N 100VOLTIOS 40AMPERIOS 0.040 OHMIO TO-220
BFG591
Highlights:
TRANSISTOR BANDA ANCHA NPN 150VOLTIOS 200MA 2WATT 7GHZ SOT-223 4PINES
BC857BS
Highlights:
TRANSISTOR DOBLE DE USO GENERAL PNP 45VOLTIOS 100MA SOT-363
2SC4684
Highlights:
AMPLIFICADOR DE POTENCIA MEDIA EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 50VOLTIOS 8AMPERIOS
K3565
Highlights:
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE SILICIO CANAL N MOS 900VOLTIOS 15AMPERIOS TO-220
G4BC10SD
Highlights:
IGBT COPACK DE 600VOLTIOS CC Y 1 KHZ (ESTÁNDAR) EN UN TO-220AB












