TGAN80N65F2DS
Previous product
HFE4001BT
€10.00
Next product
RHS100E
€695.00
€18.00
Close
Price Summary
- €18.00
- €18.00
- €18.00
Sin Stock
Highlights:
CompararTGAN80N65F2DS– IGBT + DIODO 650V 160A TO-3PN
Categorías: ELECTRONICA, SEMICONDUCTORES, TRANSISTORES
Etiqueta: TIEMPO DE ENTREGA 35 A 40 DIAS
Related Products
RFP40N10
Highlights:
MOSFET DE POTENCIA CANAL N 100VOLTIOS 40AMPERIOS 0.040 OHMIO TO-220
C3203Y (3CA)
Highlights:
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR 35VOLTIOS 800MA TO-92
K30A-NTE458 (2SK30A)
Highlights:
AMPLIFICADOR DE FRECUENCIA DE AUDIO DE BAJO RUIDO JFET DE CANAL N -50VOLTIOS 10MA
IRGB20B60 (20B60)
Highlights:
IGBT ULTRARÁPIDO DE CANAL N SERIE 600VOLTIOS 40AMPERIOS TO-220AB
BC857BS
Highlights:
TRANSISTOR DOBLE DE USO GENERAL PNP 45VOLTIOS 100MA SOT-363
07N90E
Highlights:
MOSFET DE POTENCIA DE SILICIO DE CANAL N 900VOLTIOS 7AMPERIOS TO-247
G4BC10SD
Highlights:
IGBT COPACK DE 600VOLTIOS CC Y 1 KHZ (ESTÁNDAR) EN UN TO-220AB












